• Unterschied USB-Flash-HDD und Halbleiterfestplatte
• Unterschied Halbleiterplatten und herkömmliche Festplatten

NAND-Speicher verwendet entweder die Flash-Technik Single Level Cell (SLC) oder Multi Level Cell (MLC). Bei SLC NAND wird ein Bit pro Zelle gespeichert und diese Technik bietet eine hohe Widerstandsfähigkeit (rund 50.000 Schreibvorgänge pro Zelle). MLC NAND verwendet zwei Bits pro Zelle und verfügt somit über eine größere Kapazität, verschleißt allerdings schneller als SLC NAND (nur rund ein Zehntel der Widerstandsfähigkeit von SLC-Flash). Der neuere NAND-Flash-Speicher mit drei Bits pro Zelle (rund 1.000 unterstützte Schreibvorgänge) und vier Bits pro Zelle (nur wenige hundert unterstützte Schreibvorgänge) ist für Anwendungen mit einer sehr beschränkten Zahl von Schreibvorgängen geeignet.